1.什么是 nandflash ?
flash闪存 闪存的英文名称是”flash memory”,一般简称为”flash”,它属于内存器件的一种,是一种非易失性( non-volatile )内存。
nor和nand是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。intel于1988年首先开发出nor 技术,彻底改变了原先由eprom和eeprom一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了nand flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。
闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除。nand器件执行擦除 操作是十分简单的,而nor则要求在进行擦除前 先要将目标块内所有的位都写为0。
由于擦除nor器件时是以64~128kb的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为5s ,与此相反,擦除nand器件是以8~32kb的块进 行的,执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了nor和nand之间的性能差距。
2.nand和nor flash的区别?
● nor的读速度比nand稍快一些。
● nand的写入速度比nor快很多。
● nand的擦除速度远比nor快。
● nand的擦除单元更小,相应的擦除电路更加简单。
● nand的实际应用方式要比nor复杂的多。
● nor可以直接使用,并在上面直接运行代码,而nand需要i/o接口,因此使用时需要驱动。
上图是nandflash(k9f2g08u0c)的引脚图。
i/o位数据输入、输出引脚同时兼做地址引脚、和命令引脚。
cle:命令锁存引脚,高电平有效。
ale:地址锁存引脚,高电平有效。
注:当cle和ale同时为低电平时,数据通过i/oc传输
nwe:写信号,低电平有效。
nre: 读信号,高电平有效。
nce: 片选信号,低电平有效。
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